FR-4板材的1420MHz低噪放大器设计
# 一、低噪放指标和晶体管选型
低噪放指标:增益 > 30dB、噪声系数 < 1dB。
GaAspHEMT 晶体管是设计 LNA 时经常使用的晶体管,容易在市场上购买到,在此使用栅极正压偏置的 ATF-54143 晶体管进行设计。
ATF-54143 的栅宽为 800um,对于 3V,60mA 下的偏置,在 2GHz 时的噪声为 0.5dB,增益为 16.6dB [1]。
由于需要达到 30dB 左右的增益,所以需要采用二级级联的方式进行低噪放的设计。
# 二、直流偏置点选取和直流偏置电路设计
偏置是放大器需确保放大器工作在正常的放大状态,对于个人小功率用途的低噪放大器,不必考虑其
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